WEKO3
アイテム
Anomalous Behavior of Gate Current and TDDB Lifetime by Constant Voltage Stress in NO-Annealed SiC-MOSFETs
http://hdl.handle.net/11178/8233
http://hdl.handle.net/11178/82334f864a52-a52f-4b52-9151-efe21a4cef04
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
Eiichi Murakami_ieee TED.pdf
|
|
| アイテムタイプ | 共通(1) | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2022-09-01 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | Anomalous Behavior of Gate Current and TDDB Lifetime by Constant Voltage Stress in NO-Annealed SiC-MOSFETs | |||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 作成者 |
Murakami, Eiichi
× Murakami, Eiichi
× Okamoto, Mitsuo
|
|||||||||
| アクセス権 | ||||||||||
| アクセス権 | open access | |||||||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||||||
| 権利情報 | ||||||||||
| 権利情報 | Copyright(c)2021 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including reprinting/republishing this material for advertising or promotional purposes, creating new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. | |||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 出版者 | ||||||||||
| 出版者 | IEEE | |||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 言語 | ||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||
| 出版タイプ | AM | |||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa | |||||||||
| 関連情報 | ||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||
| 関連識別子 | https://doi.org/10.1109/TED.2020.3049114 | |||||||||
| 収録物識別子 | ||||||||||
| 収録物識別子タイプ | PISSN | |||||||||
| 収録物識別子 | 0018-9383 | |||||||||
| 収録物識別子 | ||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||
| 収録物識別子 | AA00667820 | |||||||||
| 書誌情報 |
en : IEEE Transactions on Electron Devices 巻 68, 号 3, p. 1207-1213, 発行日 2021-03 |
|||||||||
